Den här kursen handlar om den viktigaste komponenten i alla integrerade kretsar - MOSFET-transistorn som tillverkas i kisel med nanometerdimensioner. Fokus är på lågeffekt CMOS-teknologi.
Kursens huvudsakliga innehåll:
- Grundläggande fysik för MOS-systemet och formulering av approximativa ström-spänningsrelationer för MOS-transistorn. Kompakta fysikbaserade modeller för kretssimuleringar. Modellering av extremfall i tillverkningsprocessen s.k. ’process corners’.
- Skalningsteori och teknologinoder för CMOS teknologi
- Moderna CMOS komponenttopologier, SOI och FinFET, 3D-strukturer inklusive ’nanowire/sheet’
- Effektförbrukning, överhörning och skalning av ledare/kopplingar s.k. ’interconnect’
- Minnesteknologier, laddningsbaserade, resistiva eller baserade på andra fysikaliska principer
- Nya teknologier och tillämpningar som exempelvis spinntronik, 2D-material och 3D-byggsätt
- Kretsdesign för nano-meter CMOS, ASIC, FPGA, designregler, robusthet, testning, tillförlitlighet, felanalys, variabilitet på komponent-, chip- och wafernivå