Prisbelönt KTH-forskare bidrar med lösningar till svårlöst fysikaliskt problem
Pressrelease:
Prisbelönt KTH-forskare bidrar med lösningar till svårlöst fysikaliskt problem
I årtionden har forskare försökt lösa problemet med s k lågfrekvensbrus i RF/analoga elektroniska kretsar. Och man har dessutom hela tiden förväntat sig att problem med bruset ska öka ju mindre komponenterna blir. Men nu är forskarna lösningen på spåren och resultaten redovisas i en avhandling vid KTH den 6 april.
Bakom forskningen står KTH-doktoranden Martin von Haartman. Redan för några år sedan uppmärksammades Martin med ett prestigefyllt internationellt forskarstudentpris utdelat av den ansedda IEEE. Den 6 april presenterar han sin avhandling "Low-frequency noise characterization, evaluation and modeling of advanced Si- and SiGe-based CMOS transistors".
Avhandlingen handlar om lågfrekvensbrus i avancerade höghastighetstransistorer tillverkade i kiselteknologi. Martin von Haartman har karakteriserat CMOS-transistorer med en minsta storlek av 50 nanometer tillverkade i KTHs halvledarlaboratorium. Resultaten kan leda till ett genombrott om förståelsen av det komplicerade lågfrekvensbruset. De visar på potentialen med avancerad kiselteknologi och pekar på hur komponenterna kan designas för att minimera lågfrekvensbruset.
Tid 6 april kl 10
Plats Aulan, Forum, Isafjordsgatan 39, Kista