Tredimensionella kretsar banar väg för ny teknik
Professor Mikael Östlings forskningsgrupp har beviljats 32 miljoner kronor över fem år från Stiftelsen för Strategisk Forskning för projektet ”Ge nanotrådstransistorer för sekventiell 3D-integration”.
Utvecklingen inom den integrerade kretsteknologin går svindlande fort. Dagens teknik tillåter integration av mer än en miljard transistorer på ett chip vilket betyder att komponenterna är så små att på punkten i denna mening kan man rymma flera miljoner transistorer. Hela teknikutvecklingen följer den så kallade Moores lag om teknikutveckling, som förutser en fördubbling av antalet transistorer inom nästa 18-månadersperiod. Idag ligger teknikfronten vid transistorer som är ungefär 22 nanometer stora och utan revolutionerande genombrott ser man idag stora svårigheter att göra transistorerna mindre än ca 10 nanometer. Istället börjar man fokusera på nya geometrier och materialkombinationer som möjliggör fortsatt utveckling av kretsprestanda utan att nödvändigtvis minska transistorernas dimensioner ytterligare.
– I detta projekt har vi anammat dessa tankar och föreslår dels att vi gör transistorerna i materialet germanium som möjliggör att man sänker spänningsnivån i kretsarna och därigenom minskar strömförbrukningen drastiskt. Vi föreslår också att man bygger dessa transistorer på höjden, det vill säga tredimensionellt (3D) för att spara plats på kretsen, berättar professor Mikael Östling.
– Eftersom detta är en helt banbrytande teknik förväntar vi oss också att projektet kommer att generera patentidéer samt förhoppningsfullt även incitament för nyföretagande. Ett långsiktigt resultat av den föreslagna tekniken kan vara att drastiskt sänka energiförbrukningen i dagens datacenters som konsumerar kopiösa mängder energi, säger Mikael Östling