Komponentteknologi

Vår verksamhet omfattar komponentfysik samt modellering och tillverkning av komponenter. I första hand är det transistorer i kisel och kisel-germanium som studeras, men även nya material som kiselkarbid (SiC) samt integrerade passiva komponenter som kondensatorer, resistanser och induktanser som behövs för att göra analoga kretsar.

Ett viktigt forskningsområde är högfrekvenskisel. CMOS är den dominerande tekniken för tillverkning av kretsar och mikroprocessorer, men den tekniken har tidigare inte riktigt kunnat hävda sig när det gäller analoga tillämpningar i högfrekvensbanden. Utmaningen för oss som forskare blir då att utveckla CMOS för radiofrekvensbruk – RF-CMOS.

En framgångsrik utveckling av "trådlöst Internet" förutsätter att CMOS-tekniken utvecklas för frekvensbanden 5-10 GHz. Mobila terminaler, mikrovågslänkar och fiberoptisk kommunikation förutsätter kretslösningar för frekvensområdet 60-70 GHz. Det kommer att krävas en radikalt ny kretsarkitektur för att klara kraven på RF-CMOS.

Bipolär högfrekvenskisel är en annan viktig del av verksamheten. Det handlar om att utveckla bipolära integrerade kretsar som blandar analog-, RF- och digitalteknik – BiCMOS-teknologi. Dessa blandchip är en nödvändig förutsättning för framtida utveckling inom det mobila området. Dagens låga överföringshastigheter i mobiltelefoni kommer att öka från omkring 10 kb/s idag via 1 Mb/s till uppemot 10 MB/s i framtiden. Det ställer stora krav på ingående komponenter.

Kiselkarbid (SiC) är ett nytt och lovande halvledarmaterial. Här forskar vi på högfrekvens- och högspänningstillämpningar. Materialet har egenskaper som gör det lämpligt för mycket höga spänningar, effekter och temperaturer, men även höga frekvenser. Vi utvecklar grundläggande processteg för komponenttillverkning som etsning, kontakter och dielektrika, för att sedan sätta samman dem till processekvenser för transistorer.

Kontaktperson:  Professor Mikael Östling