Hoppa till huvudinnehållet
Till KTH:s startsida

IH2657 Design av nanohalvledarkomponenter 7,5 hp

Den här kursen handlar om den viktigaste komponenten i alla integrerade kretsar - MOSFET-transistorn som tillverkas i kisel med nanometerdimensioner.

Fokus är på lågeffekt CMOS-teknologi.

Vi täcker in teknologitrender and komponenttopologier (SOI och FinFET, nanowire/sheet), grundläggande fysik för MOS-systemet, skalningsteori för MOSFET transistorer (Moore's lag och roadmap), minnesteknologier, lågeffektdesign, nya teknologier och tillämpningar som exvis spinntronik.

 

 

 

Information per kursomgång

Välj termin och kursomgång för att se aktuell information och mer om kursen, såsom kursplan, studieperiod och anmälningsinformation.

Termin

Information för VT 2025 Start 2025-03-17 programstuderande

Studielokalisering

KTH Campus

Varaktighet
2025-03-17 - 2025-06-02
Perioder
P4 (7,5 hp)
Studietakt

50%

Anmälningskod

60662

Undervisningsform

Normal Dagtid

Undervisningsspråk

Engelska

Kurs-PM
Kurs-PM är inte publicerat
Antal platser

Min: 25

Målgrupp

Sökbar för alla program under förutsättning att kursen kan ingå i programmet.

Planerade schemamoduler
[object Object]

Kontakt

Examinator
Ingen information tillagd
Kursansvarig
Ingen information tillagd
Lärare
Ingen information tillagd

Kursplan som PDF

Notera: all information från kursplanen visas i tillgängligt format på denna sida.

Kursplan IH2657 (VT 2025–)
Rubriker med innehåll från kursplan IH2657 (VT 2025–) är markerade med en asterisk ( )

Innehåll och lärandemål

Kursinnehåll

Den här kursen handlar om den viktigaste komponenten i alla integrerade kretsar - MOSFET-transistorn som tillverkas i kisel med nanometerdimensioner. Fokus är på lågeffekt CMOS-teknologi.

Kursens huvudsakliga innehåll:

  • Grundläggande fysik för MOS-systemet och formulering av approximativa ström-spänningsrelationer för MOS-transistorn. Kompakta fysikbaserade modeller  för kretssimuleringar. Modellering av extremfall i tillverkningsprocessen s.k. ’process corners’.
  • Skalningsteori och teknologinoder för CMOS teknologi
  • Moderna CMOS komponenttopologier, SOI och FinFET, 3D-strukturer inklusive ’nanowire/sheet’
  • Effektförbrukning, överhörning och skalning av ledare/kopplingar s.k.  ’interconnect’
  • Minnesteknologier, laddningsbaserade, resistiva eller baserade på andra fysikaliska principer
  • Nya teknologier och tillämpningar som exempelvis spinntronik, 2D-material och 3D-byggsätt
  • Kretsdesign för nano-meter CMOS, ASIC, FPGA, designregler, robusthet, testning, tillförlitlighet, felanalys, variabilitet på komponent-, chip- och wafernivå

Lärandemål

Efter godkänd kurs ska studenten kunna

  • beskriva egenskaper och begränsningar hos en MOSFET transistor i en avancerad CMOS teknologinod
  • redogöra för en metodisk kretsdesign i nanometer CMOS teknologi som tar hänsyn till effektförbrukning, robusthet, designregler, variationer i komponentprestanda, m.m.          
  • motivera behovet av nya komponent- och kretstopologier inklusive 3D-byggsätt
  • ge exempel på komponenter och material som är lämpliga för att ersätta eller komplettera kiselbaserad CMOS eller laddningsbaserade minnen exempelvis för låga matningsspänningar eller lågeffekttillämpningar
  • använda fysikalisk och kompakt modellering för att designa komponenter med önskvärda egenskaper motsvarande en kommande teknologinod
  • kritiskt analysera och diskutera forskningspublikationer med avseende på relevansen för teknikutveckling inom komponentområdet
  • diskutera avancerad halvledartillverkning ur ett hållbarhetsperspektiv med fokus på energiåtgång och andra ändliga resurser och råvaror.

Kurslitteratur och förberedelser

Särskild behörighet

Kunskaper inom kiselbaserade halvledarkomponenter, 7,5 hp, motsvarande slutförd kurs IH1611.

Rekommenderade förkunskaper

En grundläggande kurs i halvledarkomponenter eller halvledarfysik.

Utrustning

Ingen information tillagd

Kurslitteratur

Ingen information tillagd

Examination och slutförande

När kurs inte längre ges har student möjlighet att examineras under ytterligare två läsår.

Betygsskala

A, B, C, D, E, FX, F

Examination

  • LAB1 - Datorlaborationer och hemuppgifter, 3,0 hp, betygsskala: P, F
  • TENA - Skriftlig tentamen, 4,5 hp, betygsskala: A, B, C, D, E, FX, F

Examinator beslutar, baserat på rekommendation från KTH:s handläggare av stöd till studenter med funktionsnedsättning, om eventuell anpassad examination för studenter med dokumenterad, varaktig funktionsnedsättning.

Examinator får medge annan examinationsform vid omexamination av enstaka studenter.

TEN1 ersätts av TENA.

Möjlighet till komplettering

Ingen information tillagd

Möjlighet till plussning

Ingen information tillagd

Examinator

Etiskt förhållningssätt

  • Vid grupparbete har alla i gruppen ansvar för gruppens arbete.
  • Vid examination ska varje student ärligt redovisa hjälp som erhållits och källor som använts.
  • Vid muntlig examination ska varje student kunna redogöra för hela uppgiften och hela lösningen.

Ytterligare information

Kursrum i Canvas

Registrerade studenter hittar information för genomförande av kursen i kursrummet i Canvas. En länk till kursrummet finns under fliken Studier i Personliga menyn vid kursstart.

Ges av

Huvudområde

Elektroteknik

Utbildningsnivå

Avancerad nivå

Påbyggnad

Ingen information tillagd

Övrig information

I denna kurs tillämpas EECS hederskodex, se: http://www.kth.se/eecs/utbildning/hederskodex.